STD1NK80ZT4 STMicroelectronics | Productos semiconductores discretos

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STD1NK80ZT4 Canal N Montaje en superficie 800V 1 A (Tc) 45 W (Tc) DPAK

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	497-4751-1-ND	Copiar
Cantidad disponible	9,193 Disponible para envío inmediato
Fabricante	STMicroelectronics	Copiar
Número de pieza del fabricante	STD1NK80ZT4	Copiar
Descripción	MOSFET N-CH 800V 1A DPAK	Copiar
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800V 1 A (Tc) 45 W (Tc) DPAK	Copiar

Documentos y medios

Hojas de datos	STx1NK80ZR(R-AP,-1)
Otros documentos relacionados	STD1NK80Z View All Specifications
Módulos de capacitación sobre el producto	STMicroelectronics ST MOSFETs
Modelos EDA / CAD	Descargar de Ultra Librarian

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	SuperMESH™
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	16 Ohm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id	4.5 V a 50µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	7.7nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	160pF @ 25V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	45 W (Tc)
Temperatura de operación	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63