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Índice de productos > Productos semiconductores discretos > Transistores - FET, MOSFET - Simple > STMicroelectronics STD1NK80ZT4
STD1NK80ZT4 STMicroelectronics | 497-4751-1-ND DigiKey Electronics

STD1NK80ZT4 Canal N Montaje en superficie 800V 1 A (Tc) 45 W (Tc) DPAK
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1 1.04000 $1.04
10 0.92300 $9.23
100 0.72980 $72.98
500 0.56596 $282.98
1,000 0.44680 $446.80
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-4751-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STD1NK80ZT4

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Descripción MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 800V 1 A (Tc) 45 W (Tc) DPAK

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Documentos y medios
Hojas de datos STx1NK80ZR(R-AP,-1)
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Categorías Productos semiconductores discretos
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante STMicroelectronics
Serie SuperMESH™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 16 Ohm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 50 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7.7nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 160pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 45 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 497-4751-1
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : 497-4751-2-ND
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05:10:22 11/22/2018