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STD18N55M5 Canal N Montaje en superficie 550V 16 A (Tc) 110W (Tc) DPAK
Precio y compra
6,537 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.80000 $2.80
10 2.51800 $25.18
25 2.37520 $59.38
100 1.85250 $185.25
250 1.80500 $451.25
500 1.56750 $783.75
1,000 1.33000 $1,330.00

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : 497-10955-2-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.31100
  • Digi-Reel®  : 497-10955-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 6,537 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

STD18N55M5

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 497-10955-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante STD18N55M5
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Descripción MOSFET N-CH 550V 13A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 17 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 550V 16 A (Tc) 110W (Tc) DPAK

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Documentos y medios
Hojas de datos STB,D,F,P18N55M5
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ V
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 550V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 16 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 192mOhm a 8A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 31nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1260pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 110W (Tc)
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
Número de pieza base STD18
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Para usar con

STPSC606D

DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220AC

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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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