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STD16N65M5 Canal N Montaje en superficie 650V 12 A (Tc) 90 W (Tc) DPAK
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1 5.13000 $5.13
10 4.61200 $46.12
100 3.83550 $383.55
500 3.16248 $1,581.24
1,000 2.71383 $2,713.83
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-8774-1-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STD16N65M5

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Descripción MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 650V 12 A (Tc) 90 W (Tc) DPAK

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Documentos y medios
Hojas de datos STB16N65M5, STD16N65M5
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ V
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 299 mOhm a 6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1250pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 90 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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15:59:00 11/15/2018