STD150N3LLH6 STMicroelectronics | Productos semiconductores discretos

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	497-8889-1-ND
Cantidad disponible	2,751 Disponible para envío inmediato
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STD150N3LLH6
Descripción	MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (ilimitado)
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30V 80 A (Tc) 110 W (Tc) DPAK

Documentos y medios

Hojas de datos	STx150N3LLH6
Otros documentos relacionados	STD150N3LLH6 View All Specifications
Módulos de capacitación sobre el producto	STMicroelectronics ST MOSFETs

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VI
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	2.8 mOhm a 40 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id	2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	29nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3700pF @ 25V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	110 W (Tc)
Temperatura de operación	175 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63