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STB80NF55-06-1 Canal N Orificio pasante 55V 80 A (Tc) 300 W (Tc) I2PAK
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1 3.56000 $3.56
50 2.85860 $142.93
100 2.60450 $260.45
500 2.10904 $1,054.52
1,000 1.77870 $1,778.70

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-16196-5-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STB80NF55-06-1

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Descripción MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
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Plazo estándar del fabricante 38 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 55V 80 A (Tc) 300 W (Tc) I2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos ST(B,P)80NF55-06(-1,FP)
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie STripFET™ II
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.5 mOhm a 40 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 189nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-16196-5
STB80NF55-06-1-ND

14:07:29 10/17/2018