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  • Artículo obsoleto.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-12540-5-ND
Cantidad disponible 264
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STB80NF03L-04-1

Descripción MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 30V 80 A (Tc) 300 W (Tc) I2PAK

Documentos y medios
Hojas de datos STB80NF03L-04
Módulos de capacitación sobre el producto Automotive Grade Transistors and Discretes
STMicroelectronics ST MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie STripFET™ II
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5500pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4 mOhm a 40 A, 10 V
Temperatura de operación -60 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-12540-5
STB80NF03L-04-1-ND
STB80NF03L041

07:51:40 2/21/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.20000 $4.20
10 3.75400 $37.54
100 3.07810 $307.81

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