STB60NF06T4 STMicroelectronics | Productos semiconductores discretos

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	497-7950-1-ND
Cantidad disponible	2 Disponible para envío inmediato
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STB60NF06T4
Descripción	MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (ilimitado)
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60V 60 A (Tc) 110 W (Tc) D2PAK

Documentos y medios

Hojas de datos	STB60NF06(-1)
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Módulos de capacitación sobre el producto	Automotive Grade Transistors and Discretes STMicroelectronics ST MOSFETs

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	STripFET™ II
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10 V
Vgs(th) (máx.) en Id	4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	66nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1810pF @ 25V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	110 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	16 mOhm a 30 A, 10 V
Temperatura de operación	-65 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB

Recursos adicionales

Envase estándar	1
Otros nombres	497-7950-1

00:07:45 4/22/2018

Precio y compra

Todos los precios están en USD.

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:

STMicroelectronics