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STB4NK60Z-1 Canal N Orificio pasante 600V 4 A (Tc) 70 W (Tc) I2PAK
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.90000 $1.90
50 1.53180 $76.59
100 1.37860 $137.86
500 1.07222 $536.11
1,000 0.88842 $888.42

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-12536-5-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STB4NK60Z-1

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Descripción MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 4 A (Tc) 70 W (Tc) I2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos STx4NK60Z(FP,-1)
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Modelos de simulación STB4NK60Z-1 Spice Model
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie SuperMESH™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2 Ohm a 2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 50 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 510pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 70 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Reemplazo directo ?
Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Empaquetado Cantidad disponible Precio unitario Cantidad mínima Estado de la tarifa arancelaria
497-12260-ND STI24NM60N STMicroelectronics Tubo ? 8 - Inmediata
$4.77000 1 No aplicable
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-12536-5
STB4NK60Z-1-ND

12:43:06 12/16/2018