• No se dispone de envases con valor agregado; existen otras alternativas de envase.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-10565-6-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STB35N65M5

Descripción MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 650V 27 A (Tc) 160 W (Tc) D2PAK

Documentos y medios
Hojas de datos STx35N65M5
Módulos de capacitación sobre el producto 5th Generation High Voltage Mosfet Technology
STMicroelectronics ST MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ V
Empaquetado ? Digi-Reel® ?
Estado de la pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 27 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 83nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3750pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 160 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 98 mOhm a 13.5 A, 10 V
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 497-10565-6

22:02:08 2/17/2018

Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : 497-10565-2-ND
  • Cantidad mínima: 1,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $4.66290
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