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STB33N60M2 Canal N Montaje en superficie 600V 26 A (Tc) 190W (Tc) D2PAK
Precio y compra
287 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.62000 $3.62
10 3.25200 $32.52
25 3.07440 $76.86
100 2.45950 $245.95
250 2.32288 $580.72
500 2.18624 $1,093.12
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : 497-14973-2-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $1.87197
  • Digi-Reel®  : 497-14973-6-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 287 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

STB33N60M2

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 497-14973-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante STB33N60M2
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Descripción MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 17 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 600V 26 A (Tc) 190W (Tc) D2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos STB33N60M2
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Modelos de simulación STB33N60M2 Spice Model
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ II Plus
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 26 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 125mOhm a 13A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1781pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 190W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
Número de pieza base STB33N
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 497-14973-1