Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-10563-1-ND
Copiar   497-10563-1-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

STB30N65M5

Copiar   STB30N65M5
Descripción MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Copiar   MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 650V 22 A (Tc) 140 W (Tc) D2PAK

Copiar   Canal N Montaje en superficie 650V 22 A (Tc) 140 W (Tc) D2PAK
Documentos y medios
Hojas de datos STx30N65M5
Otros documentos relacionados STB30N65M5 View All Specifications
Módulos de capacitación sobre el producto STMicroelectronics ST MOSFETs
Modelos de simulación STB30N65M5 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MDmesh™ V
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 22 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 139 mOhm a 11 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 64nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2880pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 140 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 497-10563-1
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : 497-10563-2-ND
  • Cantidad mínima: 1,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $3.08000

21:40:58 12/15/2018