Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-8472-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

STB23NM60ND

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Descripción MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 600V 19.5 A (Tc) 150 W (Tc) D2PAK

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie FDmesh™ II
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 19.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2050pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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Otros nombres 497-8472-1

06:04:51 1/23/2019