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IRF630 Canal N Orificio pasante 200V 9 A (Tc) 75W (Tc) TO-220AB
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1 1.21000 $1.21
50 0.96900 $48.45
100 0.84780 $84.78
500 0.65752 $328.76
1,000 0.51909 $519.09

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-2757-5-ND
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Cantidad disponible 19,819
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF630

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Descripción MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 9 A (Tc) 75W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante STMicroelectronics
Serie MESH OVERLAY™ II
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 400mOhm a 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 700pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 75W (Tc)
Temperatura de operación -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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03:34:03 4/22/2019