UMD9NTR Rohm Semiconductor | Productos semiconductores discretos

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UMD9NTR Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	UMD9NCT-ND	Copiar
Cantidad disponible	15,358 Disponible para envío inmediato
Fabricante	Rohm Semiconductor	Copiar
Número de pieza del fabricante	UMD9NTR	Copiar
Descripción	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6	Copiar
Plazo estándar del fabricante	10 semanas
Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6	Copiar

Documentos y medios

Hojas de datos	EMD9, UMD9N, IMD9A UMT6 TR Taping Spec
Otros documentos relacionados	UMT6 Inner Structure UMT6 Part Marking Transistor, MOSFET Flammability UMT6 DTR Reliability Test
Información de RoHS	Transistor, MOSFET Level 1 MSL Transistor Whisker Info UMT6 Constitution Material List UMD9N ESD Data
Modelos de simulación	UMD9N Spice Model UMD9N Thermal Model

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo de transistor	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizado (doble)
Corriente de colector (Ic) máx.	100 mA
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.)	50 V
Resistencia - Base (R1)	10 kOhm
Resistencia - Emisor a base (R2)	47 kOhm
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce	68 a 5 mA, 5 V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic	300 mV a 250µA, 5 mA
Corriente de corte del colector (máx.)	500 nA
Frecuencia - Transición	250MHz
Potencia máxima	150 mW
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor	UMT6
Número de pieza base	*MD9