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SCT3022ALGC11 Canal N Orificio pasante 650V 93 A (Tc) 339 W (Tc) TO-247N
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Número de pieza de Digi-Key SCT3022ALGC11-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SCT3022ALGC11

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Descripción MOSFET NCH 650V 93A TO247N
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 93 A (Tc) 339 W (Tc) TO-247N

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Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 93 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 28.6 mOhm a 36 A, 18 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.6 V a 18.2 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 133nC @ 18V
Vgs (máx.) +22 V, -4 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2208pF @ 500V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 339 W (Tc)
Temperatura de operación 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247N
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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