USD
Favorito

SCT3017ALHRC11 Canal N Orificio pasante 650V 118A (Tc) 427W TO-247N
Precio y compra
679 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 104.16000 $104.16
10 98.78800 $987.88
25 96.10000 $2,402.50
100 94.08390 $9,408.39

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

SCT3017ALHRC11

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SCT3017ALHRC11-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante SCT3017ALHRC11
Copiar  
Descripción AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 17 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 118A (Tc) 427W TO-247N

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos SCT3017ALHR
Otros documentos relacionados SCT PPAP Statement
Producto destacado SiC Power MOSFETs
3rd Generation Automotive-Grade SiC MOSFETs
Archivo de video ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie Automotive, AEC-Q101
Embalaje Tubo 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 118A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 22.1 mOhm a 47A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 23.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 172nC @ 18V
Vgs (máx.) +22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2884pF @ 500V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 427W
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247N
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar

UF3SC065007K4S

MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4

UnitedSiC

$63.89000 Detalles

SCT3022ALGC11

MOSFET NCH 650V 93A TO247N

Rohm Semiconductor

$42.07000 Detalles

STY145N65M5

MOSFET N-CH 650V 138A MAX247

STMicroelectronics

$37.54000 Detalles

TP65H035WSQA

GANFET N-CH 650V 47A TO247-3

Transphorm

$20.77000 Detalles

SCTW90N65G2V

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

STMicroelectronics

$25.19000 Detalles

MSC015SMA070B

GEN2 SIC MOSFET 700V 15MOHM TO-2

Microchip Technology

$31.20000 Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 30