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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SCT2120AFC-ND
Cantidad disponible 993
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SCT2120AFC

Descripción MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 29 A (Tc) 165 W (Tc) TO-220AB

Documentos y medios
Hojas de datos SCT2120AF Datasheet
TO-220AB Taping Spec
Otros documentos relacionados TO-220AB Inner Structure
SiC Flammability
MOS-2GTHD Reliability Test
Notas de aplicación SiC Power Devices and Modules
Módulos de capacitación sobre el producto SiC MOSFETs
Archivo de video ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
Información de RoHS SiC Level 1 MSL
SiC Whisker Info
SCT2120AF ESD Data
Modelos de simulación SCT2120AF Spice Model
SCT2120AF Thermal Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 29 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 3.3 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 61nC @ 18V
Vgs (máx.) +22 V, -6 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1200pF @ 500V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 165 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 156 mOhm a 10 A, 18 V
Temperatura de operación 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

12:47:48 2/24/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 9.07000 $9.07
100 8.65200 $865.20

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