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SCT2080KEC Canal N Orificio pasante 1200V 40 A (Tc) 262 W (Tc) TO-247
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 25.72000 $25.72
10 23.78900 $237.89
25 21.86040 $546.51
100 20.31720 $2,031.72
250 18.64556 $4,661.39

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SCT2080KEC-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SCT2080KEC

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Descripción MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 1200V 40 A (Tc) 262 W (Tc) TO-247

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Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 117 mOhm a 10 A, 18 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 4.4 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 106nC @ 18V
Vgs (máx.) +22 V, -6 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2080pF @ 800V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 262 W (Tc)
Temperatura de operación 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 360
Otros nombres SCT2080KECU

20:11:17 11/20/2018