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RUM001L02T2CL Canal N Montaje en superficie 20V 100 mA (Ta) 150 mW (Ta) VMT3
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10 0.35400 $3.54
100 0.19830 $19.83
500 0.10622 $53.11
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key RUM001L02T2CLCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

RUM001L02T2CL

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Descripción MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 100 mA (Ta) 150 mW (Ta) VMT3

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Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.2 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.5 Ohm a 100 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 100 µA
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7.1pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 mW (Ta)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor VMT3
Paquete / Caja (carcasa) SOT-723
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres RUM001L02T2CLCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : RUM001L02T2CLTR-ND
  • Cantidad mínima: 8,000
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00:14:07 11/21/2018