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RUM001L02T2CL Canal N Montaje en superficie 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) VMT3
Precio y compra
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.33000 $0.33
10 0.26900 $2.69
25 0.22520 $5.63
100 0.11000 $11.00
250 0.10824 $27.06
500 0.09176 $45.88
1,000 0.06375 $63.75
2,500 0.05925 $148.13

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : RUM001L02T2CLTR-ND
  • Cantidad mínima: 8,000
  • Cantidad disponible: 56,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.05125
  • Digi-Reel®  : RUM001L02T2CLDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 68,997 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

RUM001L02T2CL

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key RUM001L02T2CLCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante RUM001L02T2CL
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Descripción MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) VMT3

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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.2V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.5Ohm a 100mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 100µA
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7.1pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150mW (Ta)
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor VMT3
Paquete / Caja (carcasa) SOT-723
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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