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RT1E040RPTR Canal P Montaje en superficie 30V 4 A (Ta) 550 mW (Ta) 8-TSST
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.63000 $0.63
10 0.49500 $4.95
100 0.33950 $33.95
500 0.23276 $116.38
1,000 0.17458 $174.58

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key RT1E040RPCT-ND
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Cantidad disponible 2,945
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

RT1E040RPTR

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Descripción MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 4 A (Ta) 550 mW (Ta) 8-TSST

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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 45 mOhm a 4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1000pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 550 mW (Ta)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSST
Paquete / Caja (carcasa) 8-SMD, conductor plano
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres RT1E040RPCT
RT1E040RPTRCT
RT1E040RPTRCT-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : RT1E040RPTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.15536
  • Digi-Reel® ? : RT1E040RPDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,945 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

20:04:03 12/13/2018