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RSR030N06TL Canal N Montaje en superficie 60V 3 A (Ta) 540mW (Ta) TSMT3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.51000 $0.51
10 0.41300 $4.13
25 0.37800 $9.45
100 0.23730 $23.73
250 0.23468 $58.67
500 0.21976 $109.88
1,000 0.14943 $149.43

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : RSR030N06TLTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 102,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.14328
  • Digi-Reel®  : RSR030N06TLDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 102,371 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

RSR030N06TL

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key RSR030N06TLCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante RSR030N06TL
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Descripción MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 3 A (Ta) 540mW (Ta) TSMT3

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Documentos y medios
Hojas de datos RSR030N06
Módulos de capacitación sobre el producto MOSFETs
Producto destacado MOSFET ECOMOS
Diseño/especificación de PCN TSMT Package Updates 24/Dec/2014
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 85mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 1mA
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 380pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 540mW (Ta)
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TSMT3
Paquete / Caja (carcasa) SC-96
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres RSR030N06MGTL
RSR030N06TLCT