RSM002P03T2L Rohm Semiconductor | Productos semiconductores discretos

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RSM002P03T2L Canal P Montaje en superficie 30V 200 mA (Ta) 150 mW (Ta) VMT3

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	RSM002P03T2LCT-ND	Copiar
Cantidad disponible	7,505 Disponible para envío inmediato
Fabricante	Rohm Semiconductor	Copiar
Número de pieza del fabricante	RSM002P03T2L	Copiar
Descripción	MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3	Copiar
Plazo estándar del fabricante	7 semanas
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30V 200 mA (Ta) 150 mW (Ta) VMT3	Copiar

Documentos y medios

Hojas de datos	RSM002P03 VMT3 T2L Taping Spec
Otros documentos relacionados	VMT3M Inner Structure VMT3 Part Marking Transistor, MOSFET Flammability VMT3 MOS Reliability Test
Módulos de capacitación sobre el producto	MOSFETs
Información de RoHS	Transistor, MOSFET Level 1 MSL Transistor Whisker Info RSM002P03 ESD Data VMT3 Constitution Material List
Producto destacado	MOSFET ECOMOS
Modelos de simulación	RSM002P03 Spice Model RSM002P03 Thermal Model

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	200 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	1.4 Ohm a 200 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id	2.5 V a 1 mA
Vgs (máx.)	±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	30pF @ 10V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	150 mW (Ta)
Temperatura de operación	150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	VMT3
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-723