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RS1E180BNTB Canal N Montaje en superficie 30V 60 A (Tc) 3 W (Ta), 25 W (Tc) 8-HSOP
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1 0.68000 $0.68
10 0.57100 $5.71
100 0.42830 $42.83
500 0.31406 $157.03
1,000 0.24269 $242.69

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key RS1E180BNTBCT-ND
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Cantidad disponible 2,390
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

RS1E180BNTB

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Descripción MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
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Plazo estándar del fabricante 40 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 60 A (Tc) 3 W (Ta), 25 W (Tc) 8-HSOP

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Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.9 mOhm a 18 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2400pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3 W (Ta), 25 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-HSOP
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres RS1E180BNTBCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : RS1E180BNTBTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.21483
  • Digi-Reel® ? : RS1E180BNTBDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,390 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

19:59:26 10/16/2018