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RS1E170GNTB Canal N Montaje en superficie 30V 17 A (Ta) 3 W (Ta), 23.7 W (Tc) 8-HSOP
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.75000 $0.75
10 0.63400 $6.34
100 0.47590 $47.59
500 0.34896 $174.48
1,000 0.26965 $269.65

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key RS1E170GNTBCT-ND
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Cantidad disponible 2,458
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

RS1E170GNTB

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Descripción MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
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Plazo estándar del fabricante 40 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 17 A (Ta) 3 W (Ta), 23.7 W (Tc) 8-HSOP

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Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.7 mOhm a 17 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 720pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3 W (Ta), 23.7 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-HSOP
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres RS1E170GNTBCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : RS1E170GNTBTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.23870
  • Digi-Reel® ? : RS1E170GNTBDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,458 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

23:17:00 10/22/2018