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RQ3E180BNTB Canal N Montaje en superficie 30V 39 A (Tc) 2 W (Ta), 20 W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)
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Cantidad
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10 0.57100 $5.71
100 0.42830 $42.83
500 0.31406 $157.03
1,000 0.24269 $242.69

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key RQ3E180BNTBCT-ND
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Cantidad disponible 1,876
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

RQ3E180BNTB

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Descripción MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
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Plazo estándar del fabricante 40 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 39 A (Tc) 2 W (Ta), 20 W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)

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Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 39 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.9 mOhm a 18 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 37nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3500pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2 W (Ta), 20 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres RQ3E180BNTBCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : RQ3E180BNTBTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.21483
  • Digi-Reel® ? : RQ3E180BNTBDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,876 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

15:49:09 10/19/2018