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RQ3E120ATTB Canal P Montaje en superficie 30V 12 A (Ta) 2 W (Ta) 8-HSMT (3.2x3)
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Cantidad
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1 0.74000 $0.74
10 0.62500 $6.25
100 0.46910 $46.91
500 0.34398 $171.99
1,000 0.26580 $265.80

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key RQ3E120ATTBCT-ND
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Cantidad disponible 3,308
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

RQ3E120ATTB

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Descripción MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
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Plazo estándar del fabricante 40 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 12 A (Ta) 2 W (Ta) 8-HSMT (3.2x3)

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Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8 mOhm a 12 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 62nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3200pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2 W (Ta)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres RQ3E120ATTBCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad disponible: 0
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  • Cantidad disponible: 3,308 - Inmediata
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22:47:01 12/10/2018