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RQ3E120ATTB Canal P Montaje en superficie 30V 12 A (Ta) 2W (Ta) 8-HSMT (3.2x3)
Precio y compra
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.60000 $0.60
10 0.51800 $5.18
25 0.48320 $12.08
100 0.35880 $35.88
250 0.34088 $85.22
500 0.28014 $140.07
1,000 0.22770 $227.70

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : RQ3E120ATTBTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 6,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.21390
  • Digi-Reel®  : RQ3E120ATTBDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 8,482 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

RQ3E120ATTB

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key RQ3E120ATTBCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante RQ3E120ATTB
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Descripción MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 12 A (Ta) 2W (Ta) 8-HSMT (3.2x3)

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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 62nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3200pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2W (Ta)
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres RQ3E120ATTBCT