Agregar a favoritos
  • No se recomienda para un diseño nuevo, ya que es posible que se apliquen cantidades mínimas. Ver opciones de Paquete alternativo o de reemplazo
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key R6025ANZC8-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

R6025ANZC8

Descripción MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 25 A (Tc) 150 W (Tc) TO-3PF

Documentos y medios
Hojas de datos R6025ANZ
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 25 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 88nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3250pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 150 mOhm a 12.5 A, 10 V
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PF
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3 paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 360

00:16:37 2/25/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.19000 $6.19
10 5.52800 $55.28
100 4.53260 $453.26
500 3.67026 $1,835.13
1,000 3.09540 $3,095.40

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario