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100 2.44780 $244.78
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key R6015KNZC8-ND
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Cantidad disponible 341
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

R6015KNZC8

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Descripción MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF
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Plazo estándar del fabricante 40 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 15 A (Tc) 60 W (Tc) TO-3PF

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Documentos y medios
Hojas de datos R6015KNZ
Otros documentos relacionados Transistor, MOSFET Flammability
Información de RoHS Transistor, MOSFET Level 1 MSL
Transistor Whisker Info
R6015KNZ ESD Data
Modelos de simulación R6015KNZ Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 290 mOhm a 6.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1050pF @ 25V
Característica de FET Diodo Schottky (aislado)
Disipación de potencia (máx.) 60 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PF
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3 paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres R6015KNZC8TR
R6015KNZC8TR-ND

11:46:44 10/22/2018