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R6011KNX Canal N Orificio pasante 600V 11 A (Tc) 53 W (Tc) TO-220FM
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10 1.63700 $16.37
100 1.29360 $129.36
500 1.00320 $501.60
1,000 0.79200 $792.00

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key R6011KNX-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

R6011KNX

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Descripción MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
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Plazo estándar del fabricante 40 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 11 A (Tc) 53 W (Tc) TO-220FM

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Documentos y medios
Hojas de datos R6011KNX
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Transistor, MOSFET Flammability
Información de RoHS Transistor, MOSFET Level 1 MSL
Transistor Whisker Info
R6011KNX ESD Data
Modelos de simulación R6011KNX Spice Model
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Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 390 mOhm a 3.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 740pF @ 25V
Característica de FET Diodo Schottky (aislado)
Disipación de potencia (máx.) 53 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FM
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 100

11:40:41 10/19/2018