• Cotización solicitada, enviar cotización aquí.
  • Componente que nunca tenemos disponible; pedido especial con cantidad minima ?
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key MD51V65165E-50TAZ-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

MD51V65165E-50TAZ0AR

Descripción IC DRAM 64MBIT 50NS 50TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 2 (1 año)
Descripción detallada

Memoria IC DRAM 64 Mb (4 M x 16) Paralelo 25ns 50-TSOP II

Documentos y medios
Hojas de datos MD51V65165E
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Rohm Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Bandeja ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de memoria Volátil
Formato de la memoria DRAM
Tecnología DRAM
Capacidad de memoria 64 Mb (4 M x 16)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página 84 ns
Tiempo de acceso 25ns
Interfaz de memoria Paralelo
Voltaje de la fuente 3 V ~ 3.6 V
Temperatura de operación 0 °C ~ 70 °C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 50-TSOP (ancho 0.400", 10.16 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 50-TSOP II
Número de pieza base MD51V65165E
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,170
Otros nombres MD51V65165E-50TA03A7
MD51V65165E-50TA03A7-ND
MD51V65165E-50TAZ
MD51V65165E-50TAZ0AR-ND
MD51V65165E50TAZ0AR

18:10:53 2/19/2018

Enviar comentario