EMH9T2R Rohm Semiconductor | Productos semiconductores discretos

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EMH9T2R Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	EMH9T2RCT-ND	Copiar
Cantidad disponible	21,450 Disponible para envío inmediato
Fabricante	Rohm Semiconductor	Copiar
Número de pieza del fabricante	EMH9T2R	Copiar
Descripción	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6	Copiar
Plazo estándar del fabricante	10 semanas
Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6	Copiar

Documentos y medios

Hojas de datos	EMH9, UMH9N, IMH9A EMT6 T2R Taping Spec
Otros documentos relacionados	EMT6 Inner Structure EMT6 Part Marking Transistor, MOSFET Flammability EMT6 DTR Reliability Test
Información de RoHS	Transistor, MOSFET Level 1 MSL Transistor Whisker Info EMT6 Constitution Material List EMH9 ESD Data
Modelos de simulación	EMH9 Spice Model EMH9 Thermal Model

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo de transistor	2 NPN - Prepolarizados (dobles)
Corriente de colector (Ic) máx.	100 mA
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.)	50 V
Resistencia - Base (R1)	10 kOhm
Resistencia - Emisor a base (R2)	47 kOhm
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce	68 a 5 mA, 5 V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic	300 mV a 250µA, 5 mA
Corriente de corte del colector (máx.)	500 nA
Frecuencia - Transición	250MHz
Potencia máxima	150mW
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor	EMT6
Número de pieza base	*MH9