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SI4532DY Arreglo de MOSFET Canal N y P 30V 3.9 A, 3.5 A 900mW Montaje en superficie 8-SOIC
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4532DYDKR-ND
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Cantidad disponible 5,862
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4532DY

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Descripción MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO
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Plazo estándar del fabricante 5 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P 30V 3.9 A, 3.5 A 900mW Montaje en superficie 8-SOIC

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4532DY
Diseño/especificación de PCN Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Korea Fab Site Add 3/Jan/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Digi-Reel® ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Estándar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.9 A, 3.5 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 65mOhm a 3.9A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 235pF a 10V
Potencia máxima 900mW
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Número de pieza base SI4532D
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4532DYDKR
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI4532DYTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.39811
  • Cinta cortada (CT) ? : SI4532DYCT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,862 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.99000

06:52:29 5/27/2019