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RFP50N06 Canal N Orificio pasante 60V 50 A (Tc) 131 W (Tc) TO-220-3
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1 1.78000 $1.78
10 1.57800 $15.78
100 1.25800 $125.80
800 0.86830 $694.64
1,600 0.78936 $1,262.98
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key RFP50N06-ND
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Cantidad disponible 1,870
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

RFP50N06

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Descripción MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 5 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 50 A (Tc) 131 W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos RFG50N06, RFP50N06, RF1S50N06SM
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 22 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 150nC @ 20V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2020pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 131 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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