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RFD3055LESM9A Canal N Montaje en superficie 60V 11 A (Tc) 38W (Tc) TO-252AA
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key RFD3055LESM9ADKR-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

RFD3055LESM9A

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Descripción MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 11 A (Tc) 38W (Tc) TO-252AA

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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Digi-Reel® ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 107mOhm a 8A, 5V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11.3nC @ 10V
Vgs (máx.) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 350pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 38W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres RFD3055LESM9ADKR
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : RFD3055LESM9ATR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.33916
  • Cinta cortada (CT) ? : RFD3055LESM9ACT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,184 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.90000

00:32:06 5/27/2019