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RFD3055LESM9A Canal N Montaje en superficie 60V 11 A (Tc) 38 W (Tc) TO-252AA
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key RFD3055LESM9ACT-ND
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Cantidad disponible 7,819
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

RFD3055LESM9A

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Descripción MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
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Plazo estándar del fabricante 5 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 11 A (Tc) 38 W (Tc) TO-252AA

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 107 mOhm a 8 A, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11.3nC @ 10V
Vgs (máx.) ±16 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 350pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 38 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres RFD3055LESM9ACT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.72000 $0.72
10 0.63400 $6.34
100 0.48620 $48.62
500 0.38436 $192.18
1,000 0.30749 $307.49
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7,819 - Inmediata
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08:01:23 9/25/2018