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NVTFS5124PLTWG Canal P Montaje en superficie 60V 2.4 A (Ta) 3 W (Ta), 18 W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
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Cantidad
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10 0.61800 $6.18
100 0.47660 $47.66
500 0.35304 $176.52
1,000 0.28243 $282.43

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NVTFS5124PLTWGOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NVTFS5124PLTWG

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Descripción MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
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Plazo estándar del fabricante 50 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 2.4 A (Ta) 3 W (Ta), 18 W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos NVTFS5124PL
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 260 mOhm a 3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 250pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3 W (Ta), 18 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NVTFS5124PLTWGOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NVTFS5124PLTWGOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.23136
  • Digi-Reel® ? : NVTFS5124PLTWGOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,941 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

16:10:54 12/18/2018