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NVTFS5116PLTAG Canal P Montaje en superficie 60V 6 A (Ta) 3.2 W (Ta), 21 W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
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100 0.87110 $87.11
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NVTFS5116PLTAGOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NVTFS5116PLTAG

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Descripción MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN
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Plazo estándar del fabricante 50 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 6 A (Ta) 3.2 W (Ta), 21 W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos NVTFS5116PL
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 52 mOhm a 7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1258pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.2 W (Ta), 21 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NVTFS5116PLTAGOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NVTFS5116PLTAGOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 1,500
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.51777
  • Digi-Reel® ? : NVTFS5116PLTAGOSDKR-ND
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02:39:06 11/15/2018