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NVMFS5C404NLWFAFT1G Canal N Montaje en superficie 40V 370 A (Tc) 200W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.34000 $4.34
10 3.90100 $39.01
25 3.68800 $92.20
100 2.95040 $295.04
250 2.78648 $696.62
500 2.62256 $1,311.28

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  • Cinta y rollo (TR)  : NVMFS5C404NLWFAFT3G-ND
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NVMFS5C404NLWFAFT1G

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante NVMFS5C404NLWFAFT1G
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Descripción MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 370 A (Tc) 200W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

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Documentos y medios
Hojas de datos NVMFS5C404NL
Información de RoHS Material Declaration NVMFS5C404NLWFAFT1G
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie Automotive, AEC-Q101
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 370 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 0.67mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 81nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 12168pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN, 5 conectores
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres NVMFS5C404NLWFAFT1GOSCT