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NVF3055L108T1G Canal N Montaje en superficie 60V 3 A (Ta) 1.3 W (Ta) SOT-223
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NVF3055L108T1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NVF3055L108T1G

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Descripción MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 3 A (Ta) 1.3 W (Ta) SOT-223

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Documentos y medios
Hojas de datos NTF3055L108, NVF3055L108
Embalaje de PCN Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie Automotive, AEC-Q101
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 120 mOhm a 1.5 A, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 5V
Vgs (máx.) ±15 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 440pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.3 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NVF3055L108T1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NVF3055L108T1GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 35,000 - Inmediata
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  • Cantidad disponible: 35,043 - Inmediata
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  • Cinta y rollo (TR) ? : NVF3055L108T3GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000
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