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NVD5C688NLT4G Canal N Montaje en superficie 60V 17 A (Tc) 18 W (Tc) DPAK (SINGLE GAUGE)
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10 0.65700 $6.57
100 0.50660 $50.66
500 0.37526 $187.63
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NVD5C688NLT4GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NVD5C688NLT4G

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Descripción MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 25 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 17 A (Tc) 18 W (Tc) DPAK (SINGLE GAUGE)

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Documentos y medios
Hojas de datos NVD5C688NL
Producto destacado NVD5CxxxNL Automotive Power MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie Automotive, AEC-Q101
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 27.4 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±16 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 18 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK (SINGLE GAUGE)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NVD5C688NLT4GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NVD5C688NLT4GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 2,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.26413
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 3,727 - Inmediata
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20:13:35 12/12/2018