NVD5863NLT4G Canal N Montaje en superficie 60V 14.9 A (Ta), 82 A (Tc) 3.1 W (Ta), 96 W (Tc) DPAK
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NVD5863NLT4GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NVD5863NLT4G

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Descripción MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 14.9 A (Ta), 82 A (Tc) 3.1 W (Ta), 96 W (Tc) DPAK

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Documentos y medios
Hojas de datos NVD5863NL
Obsolescencia PCN/ EOL Reactivation 29/Aug/2018
Diseño/especificación de PCN Mold Compound Update 25/Feb/2015
Mold Compound Revision 24/Apr/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 14.9 A (Ta), 82 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.1 mOhm a 41 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3850pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta), 96 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NVD5863NLT4G-VF01CT
NVD5863NLT4G-VF01CT-ND
NVD5863NLT4GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NVD5863NLT4GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 0  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 2,500 - Stock en fábrica ?
  • Precio unitario: Llamar

14:41:52 12/11/2018