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NTZS3151PT1G Canal P Montaje en superficie 20V 860 mA (Ta) 170 mW (Ta) SOT-563
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10 0.43700 $4.37
100 0.28670 $28.67
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTZS3151PT1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 37,169
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTZS3151PT1G

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Descripción MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563
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Plazo estándar del fabricante 46 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 860 mA (Ta) 170 mW (Ta) SOT-563

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Documentos y medios
Hojas de datos NTZS3151P
Embalaje de PCN Carrier Tape 15/Aug/2017
Mult Devices 27/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 860 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 150 mOhm a 950 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 458pF @ 16V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 170 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-563
Paquete / Caja (carcasa) SOT-563, SOT-666
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTZS3151PT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NTZS3151PT1GOSTR-ND
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14:28:36 10/23/2018