USD
Favorito

NTZD3155CT1G MOSFET - Arreglos Canal N y P 20V 540mA, 430mA 250mW Montaje en superficie SOT-563
Precio y compra
43,249 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.49000 $0.49
10 0.36500 $3.65
25 0.32960 $8.24
100 0.17370 $17.37
500 0.15394 $76.97
1,000 0.11980 $119.80
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : NTZD3155CT2GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000
  • Cantidad disponible: 48,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.06505
  • Cinta cortada (CT)  : NTZD3155CT2GOSCT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 50,497 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.35000
  • Digi-Reel®  : NTZD3155CT2GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 50,497 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : NTZD3155CT1GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000
  • Cantidad disponible: 40,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.10962
  • Digi-Reel®  : NTZD3155CT1GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 43,249 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

NTZD3155CT1G

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key NTZD3155CT1GOSCT-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante NTZD3155CT1G
Copiar  
Descripción MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Canal N y P 20V 540mA, 430mA 250mW Montaje en superficie SOT-563

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos NTZD3155C
Embalaje de PCN Carrier Tape 15/Aug/2017
Mult Devices 27/Oct/2017
Información de RoHS Material Declaration NTZD3155CT1G
Hoja de datos de HTML NTZD3155C
Ensamble/origen de PCN Mult Dev 24/Apr/2020
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 540mA, 430mA
Rds On (máx) @ Id, Vgs 550mOhm a 540mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.5nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 150pF a 16V
Potencia - Máx. 250mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-563
Número de pieza base NTZD3155
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar

BM02B-ACHSS-GAN-TF(LF)(SN)

CONN HEADER SMD R/A 2POS 1.2MM

JST Sales America Inc.

$0.60000 Detalles

ECS-320-8-37CKM

CRYSTAL 32.0000MHZ 8PF SMD

ECS Inc.

$1.01000 Detalles

NTZD3154NT1G

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563

ON Semiconductor

$0.36000 Detalles

NTZD3155CT2G

MOSFET N/P-CH 20V SOT-563

ON Semiconductor

$0.35000 Detalles

EM6M2T2R

MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6

Rohm Semiconductor

$0.44000 Detalles

TXS0101DBVR

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL SOT23-6

Texas Instruments

$0.57000 Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres NTZD3155CT1GOSCT