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NTTFS5C673NLTAG Canal N Montaje en superficie 60V 13 A (Ta), 50 A (Tc) 3.1W (Ta), 46W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
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10 0.82000 $8.20
25 0.77840 $19.46
100 0.59770 $59.77
250 0.52820 $132.05
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  • Cinta y rollo (TR)  : NTTFS5C673NLTWG-ND
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NTTFS5C673NLTAG

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Fabricante

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Número de pieza del fabricante NTTFS5C673NLTAG
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Descripción MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 13 A (Ta), 50 A (Tc) 3.1W (Ta), 46W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos NTTFS5C673NL
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Change 22/Dec/2016
Información de RoHS Material Declaration NTTFS5C673NLTAG
Hoja de datos de HTML NTTFS5C673NL
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 13 A (Ta), 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 9.3mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 880pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
Número de pieza base NTTFS5
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres NTTFS5C673NLTAGOSCT