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NTTFS5C673NLTAG Canal N Montaje en superficie 60V 13 A (Ta), 50 A (Tc) 3.1W (Ta), 46W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTTFS5C673NLTAGOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTTFS5C673NLTAG

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Descripción MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8
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Plazo estándar del fabricante 39 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 13 A (Ta), 50 A (Tc) 3.1W (Ta), 46W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos NTTFS5C673NL
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Change 22/Dec/2016
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Ta), 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.3mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 880pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTTFS5C673NLTAGOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : NTTFS5C673NLTAGOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 1,500
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
    1,500 - Stock en fábrica ?
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  • Digi-Reel® ? : NTTFS5C673NLTAGOSDKR-ND
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  • Cantidad disponible: 3,150 - Inmediata
    1,500 - Stock en fábrica ?
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  • Cantidad mínima: 5,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 5,000 - Stock en fábrica ?
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11:28:49 4/19/2019