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NTTFS5C454NLTAG Canal N Montaje en superficie 40V 20 A (Ta), 85 A (Tc) 3.2W (Ta), 55W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTTFS5C454NLTAGOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTTFS5C454NLTAG

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Descripción MOSFET N-CH 40V 20A WDFN8
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Plazo estándar del fabricante 39 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 20 A (Ta), 85 A (Tc) 3.2W (Ta), 55W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos NTTFS5C454NL
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Change 22/Dec/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Ta), 85 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.8mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1600pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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17:54:12 4/23/2019