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NTTFS5C454NLTAG Canal N Montaje en superficie 40V 20 A (Ta), 85 A (Tc) 3.2W (Ta), 55W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
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10 0.92800 $9.28
25 0.88080 $22.02
100 0.67620 $67.62
250 0.59756 $149.39
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NTTFS5C454NLTAG

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante NTTFS5C454NLTAG
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Descripción MOSFET N-CH 40V 20A WDFN8
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 20 A (Ta), 85 A (Tc) 3.2W (Ta), 55W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos NTTFS5C454NL
Información de RoHS Material Declaration NTTFS5C454NLTAG
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assembly/Mat Chg 6/Aug/2019
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 20 A (Ta), 85 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.8mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1600pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
Número de pieza base NTTFS5
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres NTTFS5C454NLTAGOSCT