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NTTFS5826NLTAG Canal N Montaje en superficie 60V 8 A (Ta) 3.1 W (Ta), 19 W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTTFS5826NLTAGOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTTFS5826NLTAG

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Descripción MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFN
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Plazo estándar del fabricante 45 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 8 A (Ta) 3.1 W (Ta), 19 W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos NTTFS5826NL
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 24 mOhm a 7.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 850pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta), 19 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTTFS5826NLTAGOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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02:54:06 12/16/2018