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NTTFS5820NLTAG Canal N Montaje en superficie 60V 11 A (Ta), 37 A (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
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10 0.58800 $5.88
25 0.55280 $13.82
100 0.40120 $40.12
250 0.38692 $96.73
500 0.33520 $167.60

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  • Cinta y rollo (TR)  : NTTFS5820NLTAGOSTR-ND
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  • Precio unitario: $0.28528
  • Digi-Reel®  : NTTFS5820NLTAGOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

NTTFS5820NLTAG

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key NTTFS5820NLTAGOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante NTTFS5820NLTAG
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Descripción MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN
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Plazo estándar del fabricante 17 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 11 A (Ta), 37 A (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos NTTFS5820NL
Ensamble/origen de PCN NTMFS/NTTFS 15/Feb/2019
Información de RoHS Material Declaration NTTFS5820NLTAG
Hoja de datos de HTML NTTFS5820NL
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 11 A (Ta), 37 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 11.5mOhm a 8.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 28nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1462pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
Número de pieza base NTTFS5
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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