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NTTFS5820NLTAG Canal N Montaje en superficie 60V 11 A (Ta), 37 A (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTTFS5820NLTAGOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTTFS5820NLTAG

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Descripción MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN
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Plazo estándar del fabricante 39 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 11 A (Ta), 37 A (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos NTTFS5820NL
Ensamble/origen de PCN NTMFS/NTTFS 15/Feb/2019
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Ta), 37 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11.5mOhm a 8.7A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 28nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1462pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTTFS5820NLTAGOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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20:57:59 4/25/2019