USD
Favorito

NTTFS5116PLTAG Canal P Montaje en superficie 60V 5.7 A (Ta) 3.2W (Ta), 40W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
Precio y compra
17,339 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.78000 $0.78
10 0.68300 $6.83
25 0.64160 $16.04
100 0.46580 $46.58
250 0.44920 $112.30
500 0.38916 $194.58

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : NTTFS5116PLTAGOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 1,500
  • Cantidad disponible: 16,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.33120
  • Digi-Reel®  : NTTFS5116PLTAGOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 17,339 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : NTTFS5116PLTWGOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.30240
  • Cinta cortada (CT)  : NTTFS5116PLTWGOSCT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 8,175 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.81000
  • Digi-Reel®  : NTTFS5116PLTWGOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 8,175 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

NTTFS5116PLTAG

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key NTTFS5116PLTAGOSCT-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante NTTFS5116PLTAG
Copiar  
Descripción MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 17 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 5.7 A (Ta) 3.2W (Ta), 40W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos NTTFS5116PL
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assem/Test Add 7/May/2019
Información de RoHS Material Declaration NTTFS5116PLTAG
Hoja de datos de HTML NTTFS5116PL
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 5.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 52mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1258pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
Número de pieza base NTTFS5
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar

NTTFS5820NLTAG

MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN

ON Semiconductor

$0.67000 Detalles

NTTFS5116PLTWG

MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN

ON Semiconductor

$0.81000 Detalles

TPL-0.5/8X12F

CAP 500MF -10% +20% 2.7V T/H

Tecate Group

$1.82000 Detalles

0452003.MRL

FUSE BRD MNT 3A 125VAC/VDC 2SMD

Littelfuse Inc.

$1.65000 Detalles

AD8219BRMZ-RL

IC CURRENT MONITOR UNI-DIR 8MSOP

Analog Devices Inc.

$2.80000 Detalles

TPN1600ANH,L1Q

MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV

Toshiba Semiconductor and Storage

$0.87000 Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres NTTFS5116PLTAGOSCT