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NTTFS5116PLTAG Canal P Montaje en superficie 60V 5.7 A (Ta) 3.2W (Ta), 40W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
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Cantidad
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100 0.63320 $63.32
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTTFS5116PLTAGOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTTFS5116PLTAG

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Descripción MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
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Plazo estándar del fabricante 39 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 5.7 A (Ta) 3.2W (Ta), 40W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 52mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1258pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTTFS5116PLTAGOSCT
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01:27:29 4/23/2019