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NTS4101PT1G Canal P Montaje en superficie 20V 1.37 A (Ta) 329 mW (Ta) SC-70-3 (SOT323)
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Cantidad
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1 0.51000 $0.51
10 0.36300 $3.63
100 0.23920 $23.92
500 0.14238 $71.19
1,000 0.11010 $110.10
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTS4101PT1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTS4101PT1G

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Descripción MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 1.37 A (Ta) 329 mW (Ta) SC-70-3 (SOT323)

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Documentos y medios
Hojas de datos NTS4101P
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.37 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 120 mOhm a 1 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 840pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 329 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-70-3 (SOT323)
Paquete / Caja (carcasa) SC-70, SOT-323
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTS4101PT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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19:15:06 2/18/2019