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NTS4101PT1G Canal P Montaje en superficie 20V 1.37 A (Ta) 329mW (Ta) SC-70-3 (SOT323)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.40000 $0.40
10 0.29400 $2.94
25 0.25760 $6.44
100 0.13980 $13.98
500 0.11408 $57.04
1,000 0.08464 $84.64
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : NTS4101PT1GOSTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 126,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.07434
  • Digi-Reel®  : NTS4101PT1GOSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 128,960 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

NTS4101PT1G

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key NTS4101PT1GOSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante NTS4101PT1G
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Descripción MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 1.37 A (Ta) 329mW (Ta) SC-70-3 (SOT323)

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Documentos y medios
Hojas de datos NTS4101P
Información de RoHS Material Declaration NTS4101PT1G
Hoja de datos de HTML NTS4101P
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1.37 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 120mOhm a 1A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 840pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 329mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-70-3 (SOT323)
Paquete / Caja (carcasa) SC-70, SOT-323
Número de pieza base NTS410
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres NTS4101PT1GOSCT