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NTR5198NLT1G Canal N Montaje en superficie 60V 1.7 A (Ta) 900 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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10 0.35400 $3.54
100 0.23230 $23.23
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NTR5198NLT1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 86,083
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

NTR5198NLT1G

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Descripción MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23
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Plazo estándar del fabricante 40 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 1.7 A (Ta) 900 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos NTR5198NL
Diseño/especificación de PCN SOT23 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 155 mOhm a 1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 182pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 900 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres NTR5198NLT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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12:38:47 11/12/2018